美光獲2000億日元補(bǔ)貼用于生產(chǎn)新一代內(nèi)存芯片
日本這兩年已把半導(dǎo)體作為重點(diǎn)來抓，除了重金支持國內(nèi)公司量產(chǎn)2nm工藝之外，還拉攏了臺積電、三星、Intel等全球半導(dǎo)體7大巨頭在日本投資建廠，其中美光就獲得了2000億日元補(bǔ)貼。
據(jù)報(bào)道，日本方面給予美光2000億日元的補(bǔ)貼，約合15億美元，主要用于采購EUV光刻機(jī)，安裝在日本廣島地區(qū)的芯片工廠，用于生產(chǎn)新一代內(nèi)存芯片。
美光在獲得巨額補(bǔ)貼之后，也投桃報(bào)李，宣布在日本增加5000億日元的投資，用于生產(chǎn)下一代DRAM內(nèi)存芯片，也就是1-gamma節(jié)點(diǎn)工藝的。
在內(nèi)存工藝進(jìn)入10nm級別之后，生產(chǎn)制造也越來越困難，需要先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，三星、SK海力士兩大內(nèi)存公司都已經(jīng)在14nm節(jié)點(diǎn)之后轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。
按照美光的計(jì)劃，從2025年起會(huì)加大生產(chǎn)1-gamma節(jié)點(diǎn)內(nèi)存的生產(chǎn)力度。
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