在連續(xù)3年增長之后，全球NAND閃存行業(yè)的資本支出，在今年將繼續(xù)增加，并會創(chuàng)下新高。從研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)來看，全球NAND閃存行業(yè)今年的資本支出，將達(dá)到299億美元，較去年的277億美元增加22億美元，同比增長8%。
同比繼續(xù)增長，也就意味著全球NAND閃存行業(yè)今年的資本支出，將超過2018年的278億美元，創(chuàng)下新高。
研究機(jī)構(gòu)在報告中指出，2017年開始，全球閃存行業(yè)開始向3D NAND閃存過渡，這也推動行業(yè)的資本支出大幅增加，2017年增至272億美元，同比增長高達(dá)89%，隨后一年增速放緩，但仍增長了2%，達(dá)到278億美元。
雖然2019年全球NAND閃存行業(yè)的營收同比大幅下滑，但仍在200億美元之上，延續(xù)了2017年之后超過200億美元的趨勢。
值得注意的是，在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)期中，今年全球NAND閃存行業(yè)8%的資本支出增速，明顯低于去年的13%，較2020年的9%也有放緩，明年的增速，可能會繼續(xù)放緩。
關(guān)鍵詞： 預(yù)計全球 NAND閃存行業(yè) 今年支出 將近300億美元 創(chuàng)下新高
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