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離子注入機與光刻機、刻蝕機和鍍膜設(shè)備并稱為芯片制造的四大核心工藝裝備，也是目前國產(chǎn)化率非常低的前道工藝設(shè)備。記者近日從青島四方思銳智能技術(shù)有限公司獲悉，思銳智能近年不斷提高自主創(chuàng)新能力，已在今年推出了國產(chǎn)離子注入設(shè)備，并在近期發(fā)布了高能離子注入機系列。

據(jù)專業(yè)研究機構(gòu)調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2022年全球半導(dǎo)體離子注入設(shè)備的市場規(guī)模為206億元，預(yù)計2023年增至211億元；而2022年中國大陸的離子注入設(shè)備市場規(guī)模為66億元，預(yù)計2023年有望增至74億元，增速高于全球平均值。目前，大束流離子注入機、高能離子注入機和中束流離子注入機分別占據(jù)61%、18%和20%市場份額。

離子注入機具有極高的進入門檻和市場集中度，長期以來全球離子注入機技術(shù)和市場主要被美國企業(yè)所把控，應(yīng)用材料和亞舍立2家美國公司占據(jù)了全球90%以上市場份額。2014年印發(fā)的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》明確指出，要研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關(guān)鍵設(shè)備，加快產(chǎn)業(yè)化進程，增強產(chǎn)業(yè)配套能力。

思銳智能董事長聶翔在接受記者采訪時表示：“市場繁榮增長的另一面，卻是離子注入機的國產(chǎn)化率僅有約3%，尤其是高能離子注入機，在離子注入機當中屬于難度最高的機型，目前國產(chǎn)化進程幾乎處于空白狀態(tài)。我們希望通過加速離子注入設(shè)備的國產(chǎn)化，助力中國集成電路產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展?！?/p>

為應(yīng)對離子注入機國產(chǎn)化的迫切需求，思銳智能發(fā)揮整合海外技術(shù)資源優(yōu)勢，組建了一支海外技術(shù)研發(fā)專家與本土技術(shù)團隊相結(jié)合的核心技術(shù)團隊，開啟了離子注入設(shè)備的研發(fā)攻關(guān)，并推出高能離子注入機產(chǎn)品。

聶翔表示，離子注入機在集成電路制程中的應(yīng)用范圍極為廣泛，涵蓋邏輯存儲、傳感器、射頻器件、特色功率器件等。思銳智能的離子注入機業(yè)務(wù)將聚焦硅基集成電路先進工藝制程，滿足HEI和HCI的國產(chǎn)化替代需求；迎接以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體快速發(fā)展趨勢，拓展系列碳化硅離子注入機；未來形成具備全系列離子注入機產(chǎn)品開發(fā)的能力。

今年6月，思銳智能已經(jīng)推出了公司首款高能離子注入機SRII-8M設(shè)備；在大束流離子注入機方面，預(yù)計將于年底推出公司低能大束流離子注入機SRII-60。除此之外，在碳化硅功率器件市場，思銳智能計劃于明年推出公司碳化硅離子注入機系列。