5 月 23 日消息，據(jù) ITF World 2023 會(huì)議上的報(bào)告，英特爾技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理 Ann Kelleher 介紹了英特爾在關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展。其中之一便是介紹英特爾未來(lái)將采用的堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)。這是英特爾首次向公眾介紹這種新型晶體管設(shè)計(jì)，英特爾在會(huì)上概述了其晶體管技術(shù)的大概發(fā)展路徑，即按照“Planar FET 平面場(chǎng)效應(yīng)管”、“FinFET 鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(當(dāng)前主流)”、“RibbonFET 全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)管”、“CFET 堆疊式場(chǎng)效應(yīng)管”順序演進(jìn)發(fā)展，但沒(méi)有提及具體的量產(chǎn)日期或時(shí)間表。

英特爾的 GAA 設(shè)計(jì)堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)是在 imec 的幫助下開(kāi)發(fā)的，設(shè)計(jì)旨在增加晶體管密度，通過(guò)將 n 和 p 兩種 MOS 器件相互堆疊在一起，并允許堆疊 8 個(gè)納米片(RibbonFET 使用的 4 個(gè)納米片的兩倍)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的密度。目前，英特爾正在研究?jī)煞N類(lèi)型的 CFET，包括單片式和順序式，但尚未確定最終采用哪一種，或者是否還會(huì)有其他類(lèi)型的設(shè)計(jì)出現(xiàn)，未來(lái)應(yīng)該會(huì)有更多細(xì)節(jié)信息公布。

此前在 2021 年的“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線(xiàn)上發(fā)布會(huì)”上，英特爾已經(jīng)確認(rèn)了 RibbonFET 將成歷史，在其 20A 工藝上，將引入采用 Gate All Around(GAA)設(shè)計(jì)的 RibbonFET 晶體管架構(gòu)，以取代自 2011 年推出的 FinFET 晶體管架構(gòu)。新技術(shù)將加快了晶體管開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。

值得注意的是，英特爾的路線(xiàn)圖及其 CFET 架構(gòu)并不是獨(dú)立提出的，而是與 IMEC 機(jī)構(gòu)長(zhǎng)期合作的結(jié)果。IT之家注：IMEC 全稱(chēng)為“Interuniversity Microelectronics Centre”微電子研究中心，是與臺(tái)積電、ASML 齊名的芯片行業(yè)重要機(jī)構(gòu)，這家機(jī)構(gòu)聯(lián)合了例如英特爾、臺(tái)積電、三星與 ASML、應(yīng)用材料、Cadence 和 Synopsys 此類(lèi)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)軟件(EDA)公司，致力于進(jìn)行未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的研究。